Influence of Argon-Plasma Etching of Single-Crystalline Silicon on Electroless Displacement Deposition of Metal Particles

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

the influence of the neo-platonic concept of poetic imagination on wordsworth’s poetry

بر اساس نظریه افلاطون در باره شعر خلاقیت هنری مورد انتقاد قرار گرفته است. نظریه کلی در مورد شعر این بود که شعر از ظواهرتقلید میکند و نه حقیقت. چون سایه ای از حقیقت است. اما با پیدایش فلسفه نو افلاطونی، انتقاتات قبلی در مورد شعر و شاعری اصلاح شد. فلوطین در کتاب انئید، اساس خلق هنری را بر محور مُثل افلاطونی قرار داد. وی باور داشت که هنر مندان در خلق آثار هنری، تحت تاثیر مُثل افلاطونی بوده و عوالمی ...

Fabrication of Single-Crystalline Silicon Nanowires by Scratching a Silicon Surface with Catalytic Metal Particles

The successful synthesis of carbon nanotubes has stimulated much research in nanomaterials, in particular, in semiconducting nanostructures, which are interesting for their novel sizeand dimensionality-dependent physical properties, and their potential applications in nanoscale optoelectronics. Silicon is the most important semiconducting material, with its contemporary microelectronic technolo...

متن کامل

effect of oral presentation on development of l2 learners grammar

this experimental study has been conducted to test the effect of oral presentation on the development of l2 learners grammar. but this oral presentation is not merely a deductive instruction of grammatical points, in this presentation two hypotheses of krashen (input and low filter hypotheses), stevicks viewpoints on grammar explanation and correction and widdowsons opinion on limited use of l1...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of The Surface Finishing Society of Japan

سال: 2012

ISSN: 0915-1869,1884-3409

DOI: 10.4139/sfj.63.581